Дата публикации: 20.03.2023
Сотрудники Московского физико-технического института (МФТИ), изучавшие свойства широко исследуемого в мире материала — двухслойного графена, нашли путь к возможному созданию электронных приборов нового типа — быстродействующих энергоэффективных переключателей, химических и биологических сенсоров, а также детекторов излучения, которые невозможно было создать на обычных полупроводниках. Об этом сообщили в министерстве науки и высшего образования РФ.
Основой всей современной полупроводниковой электроники является так называемый p-n-переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости. Ученые из лаборатории оптоэлектроники двумерных материалов Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ смогли раскрыть механику протекания тока в p-n-переходах на основе двухслойного графена. Долгое время она оставалась непонятой. В своих экспериментах российские ученые пришли к выводу, что для этого материала более характерен квантовый туннельный тип проводимости, открытый еще в 1960-е годы. Это способность p-n-переходов проводить ток благодаря «просачиванию» электронов под энергетическим барьером.
По мнению авторов работы, обнаруженный ими эффект в числе прочего важен для внедрения двухслойного графена в цифровую электронику: туннельный эффект в двухслойном графене позволит «чувствовать» не только излучения, но и следовые количества химических и биологических соединений, то есть выступать в роли чувствительного химического и биологического сенсора.
Работа выполнена при грантовой поддержке Российского научного фонда и Минобрнауки РФ. Результаты исследования опубликованы в ведущем профильном международном научном журнале Nano Letters.
Источник: РИА Новости